头条新闻！英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

英特尔Arrow Lake-U/H/HX处理器现身海关数据：部分采用台积电N3B工艺，性能再升级

北京 - 2024年6月14日，据外媒报道，近日有部分型号的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器现身海关数据，其中部分采用台积电N3B工艺制造，这标志着英特尔首次在移动处理器中使用台积电的3nm工艺。

采用台积电N3B工艺，性能再突破

台积电N3B工艺是台积电3nm工艺的增强版，相比于上一代N5工艺，性能提升了10-15%，功耗降低了10-15%。这意味着采用N3B工艺的英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器将拥有更强劲的性能和更长的续航能力。

Arrow Lake-U/H/HX：全方位升级

除了部分采用台积电N3B工艺之外，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器还采用了全新的Raptor Lake架构，并整合了Xe核显。据悉，Arrow Lake-U系列处理器将拥有2-10个核心，4-20个线程，主频最高可达5.0GHz；Arrow Lake-H系列处理器将拥有6-16个核心，12-32个线程，主频最高可达5.5GHz；Arrow Lake-HX系列处理器将拥有8-16个核心，16-32个线程，主频最高可达5.7GHz。

英特尔与台积电合作，共创芯片未来

英特尔此次在Arrow Lake-U/H/HX移动处理器中采用台积电N3B工艺，标志着英特尔与台积电合作的进一步深化。两家芯片巨头的合作将有利于推动芯片技术的进步，为消费者带来更高性能、更低功耗的芯片产品。

总而言之，英特尔Arrow Lake-U/H/HX移动处理器的出现，代表了英特尔在移动处理器领域的新突破。其采用台积电N3B工艺，并拥有全新的Raptor Lake架构和Xe核显，将为用户带来更加强劲的性能和更出色的体验。

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高带宽存储器HBM概念股强势拉升 壹石通涨幅居前

北京 - 6月13日，高带宽存储器HBM概念板块在A股市场强势拉升，截至收盘，高带宽存储器HBM概念指数涨幅达2.04%，报801.810点。个股方面，壹石通涨幅居前，达5.20%，华海诚科、国芯科技、雅克科技涨幅也均超过3%。

资金方面，当日高带宽存储器HBM概念板块主力资金净流入为-1.18亿元，其中雅克科技受到资金热捧，主力净流入4292.25万元。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是一种新型存储器，具有高带宽、低功耗、小体积等特点，被业界视为下一代存储器技术的突破。近年来，随着人工智能、5G、大数据等领域的发展，对高带宽存储器HBM的需求快速增长，市场规模不断扩大。

本次HBM概念板块的强势拉升，主要有以下几个原因：

• **政策利好。**近期，国家出台了一系列支持集成电路产业发展的政策，为HBM产业的发展提供了良好的政策环境。
• **技术突破。**随着技术的不断进步，HBM的生产成本有所下降，性能也得到了进一步提升，使其在更多领域得到应用。
• **市场需求增长。**人工智能、5G、大数据等领域的发展，对高带宽存储器HBM的需求快速增长，为HBM产业的发展提供了广阔的空间。

从市场趋势来看，HBM市场预计将保持快速增长。据市场研究机构预测，2024年全球HBM市场规模将达到200亿美元，同比增长超过30%。

有分析人士认为，HBM概念板块仍处于起步阶段，未来发展潜力巨大，值得投资者关注。

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